米乐m6
是一种广泛使用的仪器设备部件。传统的机械结构设备主要是弹性元件的变形指示,但结构尺寸大,重量轻,不能提供电输出。随着半导体的发展,半导体也应运而生。其特点是体积小,重量轻,精度高,温度特性好。特别是随着MEMS的发展,半导体正在向微型发展,功耗低,可靠性高。高温压力是为了解决高温下测量各种气体和液体的压力。主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器中的压力、井下压力、各种发动机腔中的压力、高温油的液位和油井测量。
现在研究较多的高温压力米乐m6
主要有SOS,SOI,SiO2,Poly2Si等半导体米乐m6
,以及溅射式合金膜高温压力米乐m6
,高温光纤压力米乐m6
,高温电容式压力米乐m6
等。与压阻式米乐m6:压力米乐m6
相比,半导体电容式压力米乐m6
度稳定性好,功耗低,只对压力敏感,对应力不敏感,所以电容压力米乐m6
广泛应用于很多领域。高温压力米乐m6
应用于很多领域。由于高温故障,米乐m6
方案是解决高温测量的方法之一。
本文介绍了与米乐m6
模型识别的微电容压力米乐m6
。米乐m6
通过MEMS技术实现,信号激励和信号处理通过计算机完成。电路工作过程进行了计算机模拟和试验,提供了微型高温压力米乐m6
的MEMS工艺。
1.设备的基本组成和制造技术。
硅电容压力米乐m6
的敏感部件是半导体薄膜,可采用单晶硅、多晶硅等半导体技术制造。一般的电容式米乐m6
包括上下电极,绝缘体和底层。当薄膜受到压力时,薄膜会发生一定的变形,所以上下电极之间的距离会发生变化,容量也会发生变化。但是,电容式压力米乐m6
的电容与上下电极之间的距离关系是非线性的,所以必须使用具有补偿功能的测量电路量电路进行非线性补偿。高温压力米乐m6
在高温下工作,补偿电路受温度影响,误差较大。
模型识别的高温压力米乐m6
是为了避免在高温环境下补偿电路的大误差,其设计方案是通过模型识别米乐m6
和放大电路来测量环境的压力。高温工作区的温度可达350℃。米乐m6
由铂电阻和电容压力米乐m6
组成。其MEMS技术如下:
高温压力米乐m6
由硅片、底层、下电极和绝缘层组成。其中下电极位于厚支撑的底部。绝缘层蒸在电极上。硅片采用各向异性腐蚀技术,从正面和背面腐蚀硅片。上下电极之间的间隙由硅片的腐蚀深度决定。硅片和底层通过结合技术结合,形成具有一定稳定性的硅片电容压力米乐m6
[2]。
耐高温、对温度敏感的白金电阻,选用白金电阻,可用作普通电阻,也可用作温度米乐m6
检测环境温度。当金属白金电阻与硅膜片的参数为0℃时,其电阻值为1000ω,电阻率为1.0526316×10-5ωcm,密度为21440kg/m3,比热为132.51J/(kg)k,熔断温度为1769℃,因此,白金电阻可加工成0.02mm厚度为0.2μm的总长度为3800μm,形成锯齿状,可在10V宽度的阶梯信号下正常工作。电容式压力米乐m6
的上下电极间隙为3μm,圆板电容器的上下电极半径为73μm,其电容值为50pF。
识别技术的模型及其模拟。
对于一个系统,它的方程是UO(s)=G(s)Ui(s),UO(s)和Ui(s)分别是输出和输入信号。输出、输入信号和系统的阶段数已知。计算机可以根据一定的标准识别G(s)的模型参数。本文主要阐述了应用模型识别的方法,以确定电容压力米乐m6
在高温环境下的电容值。
2.1电路模型。
对于温度变化敏感的金属白金电阻,选择零度时电阻值为1000ω,温度系数为3851×10-6/℃的金属白金电阻,当温度变化范围为-50~350℃时,相应的电阻值为803.07~2296.73ω。环境温度可通过电阻的变化来测量。在不同的压力下,压力米乐m6
具有不同的电容值,所以在相同的温度下输入相同的交流电压信号时,输出信号也不一样。
2.2时域内系统算法。
以上可以看出,该系统稳定,无振动。以下是响应曲线的斜度:
从式(3)以lg[1-UO(t)]为纵向💃坐标,t为横向坐标,通过原点直线,从直线的斜﷽度得到常数RC的值,知道R得到c,得到压力。
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