米乐m6 是一种广泛使用的仪器设备部件。传统的机械结构设备主要是弹性元件的变形指示，但结构尺寸大，重量轻，不能提供电输出。随着半导体的发展，半导体也应运而生。其特点是体积小，重量轻，精度高，温度特性好。特别是随着MEMS的发展，半导体正在向微型发展，功耗低，可靠性高。高温压力是为了解决高温下测量各种气体和液体的压力。主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器中的压力、井下压力、各种发动机腔中的压力、高温油的液位和油井测量。

现在研究较多的高温压力米乐m6 主要有SOS,SOI,SiO2,Poly2Si等半导体米乐m6 ，以及溅射式合金膜高温压力米乐m6 ，高温光纤压力米乐m6 ，高温电容式压力米乐m6 等。与压阻式米乐m6:压力米乐m6 相比，半导体电容式压力米乐m6 度稳定性好，功耗低，只对压力敏感，对应力不敏感，所以电容压力米乐m6 广泛应用于很多领域。高温压力米乐m6 应用于很多领域。由于高温故障，米乐m6 方案是解决高温测量的方法之一。

本文介绍了与米乐m6 模型识别的微电容压力米乐m6 。米乐m6 通过MEMS技术实现，信号激励和信号处理通过计算机完成。电路工作过程进行了计算机模拟和试验，提供了微型高温压力米乐m6 的MEMS工艺。

1.设备的基本组成和制造技术。

硅电容压力米乐m6 的敏感部件是半导体薄膜，可采用单晶硅、多晶硅等半导体技术制造。一般的电容式米乐m6 包括上下电极，绝缘体和底层。当薄膜受到压力时，薄膜会发生一定的变形，所以上下电极之间的距离会发生变化，容量也会发生变化。但是，电容式压力米乐m6 的电容与上下电极之间的距离关系是非线性的，所以必须使用具有补偿功能的测量电路量电路进行非线性补偿。高温压力米乐m6 在高温下工作，补偿电路受温度影响，误差较大。

模型识别的高温压力米乐m6 是为了避免在高温环境下补偿电路的大误差，其设计方案是通过模型识别米乐m6 和放大电路来测量环境的压力。高温工作区的温度可达350℃。米乐m6 由铂电阻和电容压力米乐m6 组成。其MEMS技术如下:

高温压力米乐m6 由硅片、底层、下电极和绝缘层组成。其中下电极位于厚支撑的底部。绝缘层蒸在电极上。硅片采用各向异性腐蚀技术，从正面和背面腐蚀硅片。上下电极之间的间隙由硅片的腐蚀深度决定。硅片和底层通过结合技术结合，形成具有一定稳定性的硅片电容压力米乐m6 [2]。

耐高温、对温度敏感的白金电阻，选用白金电阻，可用作普通电阻，也可用作温度米乐m6 检测环境温度。当金属白金电阻与硅膜片的参数为0℃时，其电阻值为1000ω，电阻率为1.0526316×10-5ωcm，密度为21440kg/m3，比热为132.51J/(kg)k，熔断温度为1769℃，因此，白金电阻可加工成0.02mm厚度为0.2μm的总长度为3800μm，形成锯齿状，可在10V宽度的阶梯信号下正常工作。电容式压力米乐m6 的上下电极间隙为3μm，圆板电容器的上下电极半径为73μm，其电容值为50pF。

识别技术的模型及其模拟。

对于一个系统，它的方程是UO(s)=G(s)Ui(s)，UO(s)和Ui(s)分别是输出和输入信号。输出、输入信号和系统的阶段数已知。计算机可以根据一定的标准识别G(s)的模型参数。本文主要阐述了应用模型识别的方法，以确定电容压力米乐m6 在高温环境下的电容值。

2.1电路模型。

对于温度变化敏感的金属白金电阻，选择零度时电阻值为1000ω，温度系数为3851×10-6/℃的金属白金电阻，当温度变化范围为-50~350℃时，相应的电阻值为803.07~2296.73ω。环境温度可通过电阻的变化来测量。在不同的压力下，压力米乐m6 具有不同的电容值，所以在相同的温度下输入相同的交流电压信号时，输出信号也不一样。

2.2时域内系统算法。

以上可以看出，该系统稳定，无振动。以下是响应曲线的斜度：

从式(3)以lg[1-UO(t)]为纵向坐标，t👍为横向坐标，通过原点直线，从直线的斜度得到常数RC的值，知道R得到c，得到压力。

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